Fabrication of ferroelectric tunnel nano-junctions in P(VDF-TrFE)-thin layers with conductive-AFM control - Université d'Artois
Communication Dans Un Congrès Année : 2023

Fabrication of ferroelectric tunnel nano-junctions in P(VDF-TrFE)-thin layers with conductive-AFM control

Domaines

Matériaux Physique [physics]
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https://univ-artois.hal.science/hal-04258599

Soumis le : jeudi 16 novembre 2023-15:55:10

Dernière modification le : mercredi 18 décembre 2024-10:04:44

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Dates et versions

hal-04258599 , version 1 (16-11-2023)

Identifiants

  • HAL Id : hal-04258599 , version 1

Citer

Kevin Dalla Frencesca, Anthony Ferri, Antonio Da Costa, Luc Maës, Walaa Jahjah, et al.. Fabrication of ferroelectric tunnel nano-junctions in P(VDF-TrFE)-thin layers with conductive-AFM control. Journées plénière GDR NEMO "New Molecular Electronics", IEMN, Oct 2023, Villeneuve d'Ascq, France. ⟨hal-04258599⟩

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